离（lí）子（zǐ）注入机是芯片制造中的（de）核心关（guān）键装备。中国电科连续突破大流强长寿命（mìng）高品（pǐn）质（zhì）离子源（yuán）、高速（sù）晶圆传输等核心关键技（jì）术，自（zì）主研制中束流、大束流、高能、特种应用及（jí）第三代半导体等离子注入机，工（gōng）艺段覆盖（gài）至28nm，累计形成核心发明专利（lì）413项，实现我国芯片制造（zào）领域全谱系离子注入机自主创新发展，有效缓解我国芯片制造（zào）领（lǐng）域断链、短链难题。

　　截止（zhǐ）到目前，中国电科已成功实现（xiàn）离子注入机全谱系产品国产化，可为全（quán）球芯（xīn）片制造企业提供离子注入（rù）机一站式解（jiě）决方案（àn）。下一步，将瞄准（zhǔn）高端，紧跟（gēn）先（xiān）进工艺发（fā）展，加快（kuài）推进适用于（yú）更（gèng）先进工（gōng）艺节点离子注入机的研发及产（chǎn）业化。